В начале недели стартовали продажи первых процессоров AMD Ryzen 7000 с 3D V-Cache, были опубликованы обзоры, где флагманский Ryzen 9 7950X3D зачастую признавался лучшим игровым процессором. Рецензенты в своих материалах подробно рассмотрели процессоры и вопросы настройки программного обеспечения, но информации о реализации нового 3D V-Cache было не так много. Тогда интересную особенность в своём Twitter* отметил инженер Том Вассик (Tom Wassick), ему удалось разглядеть соединения для установки 3D V-Cache в области кэш-памяти 2-го уровня. Объяснение, как они там оказались, накануне предоставил ресурс Tom’s Hardware, авторы которого ознакомились с материалами AMD для конференции ISSCC 2023, в них компания впервые рассказала о некоторых инженерных решениях.
В новом поколении пиковая пропускная способность 3D V-Cache увеличилась от 2 до 2,5 ТБ/с, при этом технология изготовления кристалла не изменилась — это 7 нанометровый техпроцесс. Такой подход позволяет снизить расходы. Однако если в предыдущей серии 7-нм кристалл с кэш-памятью устанавливался на 7-нм кристалл с ядрами, то в новом поколении последний изготавливается по 5-нм технологии и это несоответствие потребовало ряда изменений. AMD уменьшила размер кристалла 3D V-Cache и повысила его плотность, но область кэш-памяти 3-го уровня в базовом кристалле всё равно меньше, 3D V-Cache выходит за её пределы в область кэш-памяти 2-го уровня где теперь расположена часть вертикальных соединений TSV для питания. Сигнальные вертикальные соединения остались в пределах кэш-памяти 3-го уровня, в новом поколении инженерам удалось сократить занимаемую ими область на 50%.
В материале Tom’s Hardware можно ознакомиться с полной презентацией AMD, а также дополнительными подробностями о строении кристалла IOD новых процессоров.
https://overclockers.ru/blog/molexandr/ ... go-urovnya
